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新型碳化硅
三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC）
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。 是高温、高频、抗辐射、大功率应用场 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。 当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景
11:27 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电 16 小时之前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通,核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院依托国家重点研发 碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通 北极星智能
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代
来说说第三代半导体产业链中技术发展较快、市场空间广阔、已经实际应用、国内追赶最紧的其中一个链条：碳化硅。文章尾部有干货：相关国内公司及业务进展情况。 碳化硅的优势硅，是制造半导体芯片及器件最为主要 2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛 （casicon 2023） 尊敬的各有关单位： 第三代半导体是实现“双碳”目标、“东数西算”战略和保障国家 主题出炉！2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型
碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通北极星输配电网
1 天前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院25 GPa/1400 ℃条件下制备的块材维氏硬度高达415±05 GPa，显著高于商用碳化硅材料的硬度(< 30 GPa)，与单晶立方氮化硼相媲美，是一种新型超硬材料。将立方碳化硅的硬度提高到超硬阈值之上是超硬材料研究的重要进展。Small：新型超硬材料——纳米晶立方碳化硅中国科学
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。 当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特 碳化硅的火热，与其材料特性所能带来巨大效益有关。 芯粤能总裁徐伟在演讲中表示，简单总结来看，碳化硅的优势在于其相比硅材料，会更适合碳化硅赛道火热 广州南沙全产业链快速聚集|碳化硅
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的 16 小时之前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通,核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院依托国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项潜心攻关，突破了碳化硅器件制造和碳化硅高端电力电子装备关键技术，相关成果有效助力雄安碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通 北极星智能
碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通北极星输配电网
1 天前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院碳化硅的火热，与其材料特性所能带来巨大效益有关。 芯粤能总裁徐伟在演讲中表示，简单总结来看，碳化硅的优势在于其相比硅材料，会更适合功率器件。 在相同击穿电压条件下，碳化硅的导通电阻只是硅的1/344。 碳化硅的系统性优势包括，可以降 碳化硅赛道火热 广州南沙全产业链快速聚集 21财经
博格华纳新型800V碳化硅逆变器比起传统逆变器，优势
除此之外，Marelli 的新型 800 伏逆变器平台还具有优化的热结构，这要归功于创新的结构和 博格华纳新型800V碳化硅逆变器设计应用了博格华纳自研的可扩展式功率模块（Viper 系列），结合增强的散热设 图5：碳化硅单晶衬底生长炉 最后，参加仪式的领导、嘉宾、媒体记者一同前往碳化硅单晶衬底生产线参观。该项目以能源行业急需的新型功率半导体器件为背景，通过研究和分析碳化硅单晶衬底中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用机理，解决了影响单晶质量的原料提纯与合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产
新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破
新型碳化硅超高压器件终端技术 在碳化硅 igbt的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术 将纳米结构化策略引入到碳化硅这一传统的硬质材料，在高温高压条件下成功制备出纳米晶结构的立方碳化硅致密块材，块材中平均晶粒尺寸低至10 nm。 受益于这种独特的显微组织结构，块材的维氏硬度相较于商用碳化硅大幅度提高，可媲美单晶立方氮化硼。 该研究首次将立方碳化硅这一传统硬质材料提升为超硬材料，扩大了超硬材料家族成 Small：新型超硬材料——纳米晶立方碳化硅中国科学
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。 当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特 碳化硅的火热，与其材料特性所能带来巨大效益有关。 芯粤能总裁徐伟在演讲中表示，简单总结来看，碳化硅的优势在于其相比硅材料，会更适合碳化硅赛道火热 广州南沙全产业链快速聚集|碳化硅
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16 小时之前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通,核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院依托国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项潜心攻关，突破了碳化硅器件制造和碳化硅高端电力电子装备关键技术，相关成果有效助力雄安碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
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1 天前碳化硅高端电力电子装备助力零碳交通核心提示新型碳化硅器件具有高电压、大电流、快速开关的特点，很适合在新型电力系统应用。国网智研院碳化硅的火热，与其材料特性所能带来巨大效益有关。 芯粤能总裁徐伟在演讲中表示，简单总结来看，碳化硅的优势在于其相比硅材料，会更适合功率器件。 在相同击穿电压条件下，碳化硅的导通电阻只是硅的1/344。 碳化硅的系统性优势包括，可以降 碳化硅赛道火热 广州南沙全产业链快速聚集 21财经
合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产
图5：碳化硅单晶衬底生长炉 最后，参加仪式的领导、嘉宾、媒体记者一同前往碳化硅单晶衬底生产线参观。该项目以能源行业急需的新型功率半导体器件为背景，通过研究和分析碳化硅单晶衬底中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用机理，解决了影响单晶质量的原料提纯与除此之外，Marelli 的新型 800 伏逆变器平台还具有优化的热结构，这要归功于创新的结构和 博格华纳新型800V碳化硅逆变器设计应用了博格华纳自研的可扩展式功率模块（Viper 系列），结合增强的散热设 博格华纳新型800V碳化硅逆变器比起传统逆变器，优势
新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破
科研团队所研制的大容量碳化硅 IGBT器件可应用于新一代智能电网领域，进一步优化电力分配系统，使电网的效率更高、切换更快，特别是远距离输电线路。 使用该种碳化硅器件可将功耗降低一半，由